光刻胶对于很多人来说可能会比较陌生,它是半导体材料的一种,属于化工新材料,在微电子技术中有极大的作用,今天我们就从成分到分类、用途来详细了解一下光刻胶。
光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。
1、负性光刻胶
主要有聚肉桂酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的 KPR 为代表,后者以 OMR 系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮職为感光化合物,以酚醛树脂为基本材料。最常用的有 AZ-1350 系列,主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。最常用的是 COP胶, 灵敏度0.3~0.4pC/cm2(加速电压10KV 时)、分辨率 1.0pm、对比度 0.95。限制分辨率的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为甲基丙烯甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。最常用的是 PMMA胶, 典型特性:灵敏度40~80pC/cm^2(加速电压 20KV 时)、分辨率 0.1um、对比度 2~3。PMMA 胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低,此外在高温下易流动,耐干法刻蚀性差。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,在模拟半导体、发光二极管、微机电系统、太阳能光伏、微流道和生物芯片、光电子器件/光子器件中都有重要的应用。